MeV級の電子線照射によりダイヤモンドや炭化ケイ素(SiC)中に高輝度な発光源(欠陥)を形成する。
シーズの特徴(成果含む)
- ダイヤモンドやSiCのナノ粒子に電子線照射をすることで、発光する結晶欠陥を導入します。具体的には、ダイヤモンドの場合は赤色発光を示す窒素-空孔(NV)センター、SiCの場合は近赤外域に発光を持つシリコン空孔(VSi)センターです。
- これらの発光欠陥は発光体としてだけでなく、磁場や温度のセンサとしても利用できます。
- ダイヤモンドやSiCは材料として安定、無害なので生物・医療研究用に使用できます。

○ 高輝度発光なセンターの形成に成功。生物・医療研究用のトレーサーや、局所的な温度や磁場を計測可能なセンサに応用に期待。
アウトカム
生物・医療応用
知財等関連情報
1) Nature Materials 14 (2015) p.164
2) PNAS 110 (2013) p.10894.
アウトカムに至る段階
基礎段階
連携希望企業
ナノダイヤモンドやSiC作製企業
担当者
量子ビーム科学部門
高崎量子応用研究所先端機能材料研究部
大島 武