次世代半導体の製造、検査に必要な高出力EUV光源を開発し、高集積半導体作製への応用を目指す。
シーズの特徴（成果含む）
○10kW級EUV光源（波長13.5nm）の実現に必要な電子銃、加速器、シミュレーション、自由電子レーザの技術
アウトカム
半導体集積度の向上
知財等関連情報
1) R. Hajima, Proc. 2014 International Workshop on EUV and Soft X-Ray Sources (Dublin, Nov.3-6, 2014)
アウトカムに至る段階
応用段階
連携希望企業
東芝、三菱重工MS、日立、NTT-AT、ギガフォトン他半導体メーカー
担当者
量子ビーム科学部門
高崎量子応用研究所東海量子ビーム応用研究センター
羽島 良一