半導体デバイスの
イオン入射破壊効果の評価

• 重イオンがパワーデバイスに⼊射した際に発⽣する電荷を計測することで、イオン⼊射破壊（シングルイベント破壊）を評価します。
• 重イオンの種類やエネルギー（エネルギー付与、イオンの⼊射深さ）を変化させることで、パワーデバイスのシングルイベント耐性を明らかにできます。

○ SiC MOSデバイスの破壊メカニズムの解明に成功。様々なパワーデバイスの信頼性（シングルイベント破壊耐性）向上に貢献。