結晶成長中のその場観察技術を用いた
窒化物半導体の高品質化

• RFプラズマ窒素源を用いた分子線エピタキシー法で窒化物半導体結晶を成長させながら、高輝度なSPring-8の放射光Ｘ線で結晶成長の過程を実時間測定できます。
• 成長膜のひずみや結晶欠陥など、デバイス性能に直結する構造特性を1原子層から調べることが可能です。
• 高品質エピタキシャル結晶成長技術の迅速な開発に役立ちます。

○放射光X線その場測定から、GaN薄膜成長のごく初期における格子ひずみの異常を見出し、それが点欠陥の形成によるものであることを明らかにしました。