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量子ビーム科学部門

共用対象施設・設備 高崎研(高崎地区5)

掲載日:2018年12月26日更新
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イオン照射研究施設(TIARA)3MVシングルエンド加速器募集対象の設備

平成28年9月6日から平成29年3月23日まで

No. ビームライン 設備・装置の種類 装置の概要・条件 担当者・連絡先 備考
1 MD2 軽イオンデュアルビーム解析システム 3MVシングルエンド加速器及び400kVイオン注入装置からの2種類のイオンビームを用いて、イオン注入及びイオンビーム解析(RBS, NRA)を同時/連続に行うためのシステムです。荷電粒子検出器(SSD)を装備しています。 山本 春也
先進触媒研究P
Tel:027-346-9129
 
2 MT1 トリプルビーム照射実験装置 タンデム加速器、イオン注入装置及びシングルエンド加速器からのイオンビームを同時に照射することができる装置です。装置には3本のビームラインが接続されており、それぞれのラインにはビームスキャナーが、また軽イオン用の2本のラインにはディグレーダーが設置されています。 渡辺 智
利用管理課
Tel:027-346-9115
 
3 SBライン サブミクロンマイクロビーム形成装置 1μmより小さい径(サブミクロン)に集束された軽イオンビームを用いて高分解局所分析(PIXE、RBS、NRA等)を行うことができます。特に、大気中において細胞試料等の元素分布の分析が可能な大気マイクロPIXE分析システムがご利用いただけます。本装置のご利用にあたって、分析試料の調整は利用者ご自身で行っていただく必要があります。 佐藤 隆博
ビーム技術開発課
Tel:027-346-9659
 
4 SC1 簡易型ビーム型解析装置(Baby BAS) 3MVシングルエンド加速器からの軽イオンを利用したイオンビーム解析専用装置です。目的に応じてRBS、NRA、PIXEとチャネリング測定の組み合わせが可能です。4軸ゴニオメータ、試料導入機構を装備しています。 山本 春也
先進触媒研究P
Tel:027-346-9129
 
5 SX1 極低温電子線照射損傷解析装置 3MVシングルエンド加速器からの電子線を真空中で固体に照射する装置です。試料を室温から約7Kに冷却することができ、照射による電気抵抗変化を測定することが出来ます。ビーム量次第で照射中の試料温度は多少高くなることがあります。最大10mmx10mmの面積において電子線を均一に照射することができます。 花屋 博秋
利用管理課
Tel:027-346-9048
 

※内容は一部変更になる場合がございます。

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