イオン照射研究施設（TIARA）400kVイオン注入装置募集対象の設備
（令和6年4月から令和7年3月まで）
| No. | ビームライン | 設備・装置の種類 | 装置の概要・条件 | 担当者・連絡先 | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | IA1 | 低エネルギーイオン照射チェンバ― | イオン注入装置で加速されたイオンを真空中で照射する汎用チャンバーです。照射エリアはサプレッサーカバー装着時で2cm角です。試料の取付は50×75mmサイズの銅もしくはアルミ製のプレートに爪で固定の上、そのプレートを六角柱状の取付台座に固定します。最大6種類の試料を大気開放することなく、切り替えて照射することが可能です | 花屋 博秋 利用管理課 |
|
| 2 | MD1 | 重イオンデュアルビーム解析システム | 3MVタンデム加速器及び400kVイオン注入装置からの2種類のイオンビームを用いて、イオン注入及びイオンビーム解析(RBS, ERD)を同時/連続に行うためのシステムです。荷電粒子検出器（SSD）の取り付けが可能です。 | 山本 春也 水素エネルギー変換デバイスP |
|
| 3 | MD2 | 軽イオンデュアルビーム解析システム | 3MVシングルエンド加速器及び400kVイオン注入装置からの2種類のイオンビームを用いて、イオン注入及びイオンビーム解析（RBS）を同時/連続に行うためのシステムです。荷電粒子検出器（SSD）の取り付けが可能です。 | 山本 春也 水素エネルギー変換デバイスP |
※１：内容は一部変更になる場合がございます。
※２：各設備・装置に関すること、上記に掲載がない実験装置については、takasaki-kyoyo@qst.go.jpにお問い合わせください。