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共用施設・設備(高崎地区)

共用対象施設・設備 高崎研(3MVシングルエンド加速器)

掲載日:2019年5月22日更新
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イオン照射研究施設(TIARA)3MVシングルエンド加速器募集対象の設備

(2019年10月から2020年3月まで)

No. ビームライン 設備・装置の種類 装置の概要・条件 担当者・連絡先 備考
1 MD2 軽イオンデュアルビーム解析システム 3MVシングルエンド加速器及び400kVイオン注入装置からの2種類のイオンビームを用いて、イオン注入及びイオンビーム解析(RBS, NRA)を同時/連続に行うためのシステムです。荷電粒子検出器(SSD)を装備しています。 山本 春也
先進触媒研究P
Tel:027-346-9129
 
2 MT1 トリプルビーム照射実験装置 タンデム加速器、イオン注入装置及びシングルエンド加速器からのイオンビームを同時に照射することができる装置です。装置には3本のビームラインが接続されており、それぞれのラインにはビームスキャナーが、また軽イオン用の2本のラインにはディグレーダーが設置されています。 石堀 郁夫
利用管理課
Tel:027-346-9639
 
3 SBライン サブミクロンマイクロビーム形成装置 1μm径に集束した水素及びヘリウムイオンビームを用いて高空間分解能で局所イオン分析(PIXE、RBS、NRA等)を行うことができます。特に、この装置に設置した大気マイクロPIXE分析システムをご利用いただくことで、大気中での測定が必要な細胞等の水を含んだ試料の元素分析やその分布を二次元データとして取得することができます。本装置のご利用にあたっては、分析試料の調整をご利用者様で行っていただくため、事前に担当者に連絡していただくことが必要となります。また、同イオンビームを用いて1μmの空有間分解能で樹脂等を最大100μmの深度で加工をすることすることができます。 佐藤 隆博
ビーム技術開発課
Tel:027-346-9659
 
4 SC1 簡易型ビーム型解析装置(Baby BAS) 3MVシングルエンド加速器からの軽イオンを利用したイオンビーム解析専用装置です。目的に応じてRBS、NRA、PIXEとチャネリング測定の組み合わせが可能です。4軸ゴニオメータ、試料導入機構を装備しています。 山本 春也
先進触媒研究P
Tel:027-346-9129
 
5 SX1 極低温電子線照射損傷解析装置 3MVシングルエンド加速器からの電子線を真空中で固体に照射する装置です。試料を室温から液体窒素温度に冷却することができ、照射による電気抵抗変化を測定することが出来ます。ビーム量次第で照射中の試料温度は多少高くなることがあります。最大10mmx10mmの面積において電子線を均一に照射することができます。 花屋 博秋
利用管理課
Tel:027-346-9048
 

※1:内容は一部変更になる場合がございます。

※2:上記に掲載がない実験装置については、研究企画部(高崎)までお問い合わせください。

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