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高崎量子応用研究所

メンバー - プロジェクト半導体照射効果研究

掲載日:2018年12月26日更新
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メンバー

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大島 武
(OHSHIMA,Takeshi)
プロジェクトリーダー、上席研究員
【半導体デバイスの放射線耐性、耐放射線性新材料半導体の開発研究、ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】
小野田 忍
(ONODA,Shinobu)
主幹研究員
【シングルイベント効果及びはじき出し損傷効果の研究、ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】
阿部 浩之
(ABE,Hiroshi)
主任研究員
【SiCデバイスの放射線照射効果に関する研究】
武山 昭憲
(TAKEYAMA,Akinori)
主任研究員
【SiCデバイスの放射線照射効果に関する研究】
牧野 高紘
(MAKINO,Takahiro)
主任研究員
【半導体デバイスの放射線耐性、シングルイベント効果に関する研究、SiCデバイスの放射線照射効果に関する研究】
佐藤 真一郎
(SATO,Shin-ichiro)
主任研究員
【ダイヤモンド粒子検出器の研究、ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング、宇宙用太陽電池および太陽電池材料の放射線照射効果に関する研究】
春山 盛善
(HARUYAMA,Moriyoshi)
大学院課程研究員(群馬大学D2)
【ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】
本多 智也
(HONDA,Tomoya)
実習生(埼玉大学M2)
【ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】
高野 修平
(TAKANO,Shuhei)
実習生(埼玉大学M2)
【半導体デバイスの放射線耐性、シングルイベント効果に関する研究】
立見 和雅
(TATSUMI,Kazumasa)
実習生(群馬大学M2)
【ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】
常見 大貴
(TSUNEMI,Daiki)
実習生(埼玉大学M1)
【ワイドバンドギャップ半導体の欠陥エンジニアリング】

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