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薄膜創製装置：
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特徴: トランスファーチャンバで結合された複数の超高真空成膜と分析チャンバーを有する複合型装置。作製した試料をUHVベッセルを使って放射光施設などの実験装置に搬送することもできます。 ・成膜機構: MBE (4元) 磁気スパッタ(6元) 超高真空CVD(2元) 電子線蒸着(5元) ・分析機構: RHEED, XPS, UPS EELS |
| 超高真空複合薄膜作製装置 |
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| 磁気スパッタ（６元） | 高真空CVD成膜装置-1 | 高真空CVD成膜装置-2 |
物性分析装置：
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特徴: 表面のスピンの観測には一般にX線や紫外線を使う方法が用いられますが、これらの方法では実際には表面からの深さが数原子以上の領域にある電子のスピンまで観測してしまいます。これに対して、スピン偏極ヘリウムビームは、試料の表面で完全に散乱されてしまうため、表面にある電子のスピンのみを観測することができます。 |
| スピン偏極準安定ヘリウム原子脱励起分光装置 |
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| MPMS(7T) | ラマン分光 | カー効果顕微鏡 |
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| 低温磁気プローバ | 室温磁気プローバ | 原子間力顕微鏡(AFM) |
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| 走査型トンネル顕微鏡 | XMCD分光(KEK) | メスバウアー分光 (Spring8) |
素子微細加工装置：
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特徴: 最高100kVの加速電圧により、最小径Φ1.8nmのビームが、長時間安定して得られます。これにより、6nmの超微細パターンを描画することが可能です。自動装置補正、自動マーク検出等の機能を備え、再現性の高いナノ構造パターニングができます。 |
| ELIONIX 電子線描画装置 ELS-G100 |
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| 電子線描画装置(日本電子) | ミーリング(検出器付き) | マスクアライナ |
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| 工業用光学顕微鏡 | ワイヤ・ボンディング | スピンコート |