現在地
Home > 関西光量子科学研究所 > 関西光科学研究所 | 【web開催】第78回KPSIセミナー 実験室天体物理学および軟X線リソグラフィー応用のためのレーザー生成プラズマ分光法に関する実験的研究

関西光量子科学研究所

関西光科学研究所 | 【web開催】第78回KPSIセミナー 実験室天体物理学および軟X線リソグラフィー応用のためのレーザー生成プラズマ分光法に関する実験的研究

掲載日:2021年3月3日更新
印刷用ページを表示

関西光科学研究所 >> KPSIセミナー >> 実験室天体物理学および軟X線リソグラフィー応用のためのレーザー生成プラズマ分光法に関する実験的研究

セミナー

第78回KPSIセミナー(web開催)

実験室天体物理学および軟X線リソグラフィー応用のためのレーザー生成プラズマ分光法に関する実験的研究

 

講演者 劉暢 博士研究員
(関西光科学研究所 高強度レーザー科学研究グループ)
日時 2021年3月10日(水曜日)11時00分~
使用言語 英語
要旨 [PDFファイル/159KB]
Webex  

実験室天体物理学および軟X線リソグラフィー応用のためのレーザー生成プラズマ分光法に関する実験的研究

劉暢 博士研究員
(関西光科学研究所 高強度レーザー科学研究グループ)

概要

Spectroscopy technology is widely used both in basic science and industrial applications. In this research, first part we designed an experiment which is aiming at observing the Zeeman effect in the spectrum, a fundamental physical phenomenon but has not been successfully observed in the high field (>103 T) magnetized plasma experiment. The second part we apply the spectroscopy method to measure the EUV-induce hydrogen plasma parameters, which is important for the soft X-ray or EUV lithography applications.

According to the Zeeman experimental design we use the Magnetohydrodynamics (MHD) modeling to examine the plasma parameters and the magnetic field strength. The modeling shows that using the advanced low-density foam target fabrication technology and GEKKO XII laser system it is possible to generate a 10 kT strong field in 100 eV electron temperature and 1021 cm-3 electron density plasma. These physical conditions make a 96 eV Si XII line’s Zeeman splitting measurable under the current spectroscopy technology [1][2].

For the purpose of applying the Sn cleaning effect in the EUV-induce hydrogen plasma, it is necessary to determine the plasma parameters in the EUV photoionized hydrogen ones. Using the spectroscopy technology, we calculate the plasma temperature and density by the Balmer line profiles. With cross-section estimation confirms the measured density and the first 2D EUV-induce hydrogen plasma emission images confirm the temperature. 1eV / 21013cm-3 gives a hydrogen radical population density of 3.71012cm-3. The Sn cleaning effect is examined by this value. This technology has potential application which can improve the working efficiency of EUV lithography (EUVL) [3].

The presentation shows the details of this research which both contribute to the HEDP and EUVL.

References
[1] C. Liu et al., High Energy Density Phys, 33, 100710 (2019).
[2] KFF. Law et al., Phys. Rev. E 102 (3), 033202 (2020).
[3] J. Beckers et al., Appl. Sci. 9(14), 2887(2019).

 

[前の記事]
【web開催】第77回KPSIセミナー 強力な短パルスレーザーによる材料科学の最近の進歩
[次の記事]
【web開催】第79回KPSIセミナー ブラックホールからのホーキング放射 ―基礎科学のための相対論的レーザーとチャレンジスピリットを用いたモデル実験の課題―

Adobe Reader

PDF形式のファイルをご覧いただく場合には、Adobe社が提供するAdobe Readerが必要です。
Adobe Readerをお持ちでない方は、バナーのリンク先からダウンロードしてください。(無料)
Adobe Reader provided by Adobe is required to view PDF format files.