QSTの実験装置

⁵⁷Fe, ⁶¹Ni等のメスバウアー核種を対象とした放射光メスバウアー分光が可能で、物質の電子、磁気状態から格子振動状態に関する情報を得る事ができる。 更に、斜入射法や同位体置換試料を利用する事で、金属薄膜の表面部を原子層単位で測定する事も可能である。

利用例：金属薄膜の原子層単位での磁性探査。

入射X線、散乱（発光）X線の双方のエネルギーを0.1 eV程度のエネルギーで分光実験が可能な装置。 4軸回折計配置で共鳴非弾性Ｘ線散乱により電子励起の運動量依存性が測定できるほか、高エネルギー分解能X線吸収分光、X線発光分光の実験も可能である。 試料温度は10 Kから800 Kまで。

利用例：遷移金属化合物における電荷・スピン・軌道励起の観測、触媒や電池電極材料のオペランド電子状態解析。

分子線エピタキシー (MBE) チェンバーを搭載した表面構造解析用X線回折計。 半導体量子ドットや半導体多層膜などの成長過程をX線回折によりその場観察・リアルタイム観察可能。 2台のMBEを交換し、GaAs、InAsなどのヒ素化合物成長とRF-MBEによるGaN、InNなどの窒化物半導体成長を行うことができる。

利用例：半導体量子ドット、半導体多層膜の成長過程のリアルタイム解析。

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10 GPa (13万気圧)、2300 K程度までの圧力・温度状態下の試料を、白色X線を用いたエネルギー分散型X線回折法やラジオグラフィー法、単色X線を用いたXAFS (X線吸収微細構造) 法や角度分散型X線回折法等によって調べることができる。

利用例：高圧下での金属水素化物形成過程のその場観察。

最高70 keVの高エネルギーX線の利用により最大Q = 27 Å^-1までのX線全散乱測定が可能であり、全散乱プロファイルから約100 Åまでの距離相関の原子二体分布関数 (PDF) が導出可能。 検出器は大型イメージングプレート (400×400 mm², 0.1 mm/pixel) あるいは大型デジタルX線検出器 (409.6×409.6 mm², 0.2 mm/pixel) が選択可能。 専用のアタッチメントを用いることで、100–300 Kの温度範囲、1 MPa未満の水素と窒素ガス雰囲気でのその場観察が実施可能。 試料-検出器間距離が250–730 mm（大型デジタルX線検出器では655 mmまで）で可変のため、高角データから高分解能データまで取得が可能であり、ダイヤモンドアンビルセルを用いた高圧下での単結晶X線回折および粉末X線回折にも適用可能。

利用例：水素貯蔵合金、負の熱膨張材料など。

X線領域のブラッグ反射を利用したコヒーレントX線回折イメージングが実施できる水平振りの大型X線回折計。 粒径100 nm以下のナノ結晶ひと粒のサイズや形状、内部構造（応力、ドメイン等）を含む3次元イメージングが可能。 試料環境制御に関しては要相談。

利用例：100–500 nm級チタン酸バリウムナノ結晶粒子一粒の3次元可視化、40 nm級パラジウムナノ結晶粒子一粒の3次元可視化。