陽電子ビーム研究開発グループ

基盤S

掲載日:2023年9月1日更新
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基盤S

基盤S「スピントロニクス偏極陽電子ビームを基軸とする新しいサイエンスの展開」

 

 

研究課題番号 23H05462

 

スピン偏極陽電子ビームを用い、以下の研究を行う。

(1)スピンを伴う原子空孔が強相関電子系(近藤絶縁体やスキルミオン物質)の磁気・構造相転移に与える影響の解明

(2)電子スピン選択効果を持つキラル分子膜やグラフェンによる電子スピンの界面閉じ込め効果の直接検出による検証

(3)アミノ酸やDNAなど生体物質が持つ非対称性がベータ崩壊に起源を持つとの仮説の検証

実験結果の解釈には第一原理分子層力学計算手法を駆使する。

 

さらに高強度・高スピン偏極陽電子・電子源に基づくポジトロニウム・ボース・アインシュタイン凝縮(Ps-BEC)の必須要素技術と、Ps多体系に対する第一原理的計算手法を開発する。

 

 

 

公開準備中

 

 

 

 

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